Structure cristalline hexagonale adoptée par le GaN, le ZnO, etc. Une polarisation apparaît selon l'orientation du cristal ; c'est elle qui crée le gaz d'électrons bidimensionnel des HEMT GaN.
Nom japonais: ウルツ鉱型構造
« Structure wurtzite » apparaît dans 1 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Semi-conducteurs composés.
Domaine: Semi-conducteurs composés
Réponse : A. Wurtzite (hexagonale)
Le GaN adopte généralement la structure wurtzite hexagonale. Cette structure n'est pas symétrique selon l'axe c et les plans de Ga et de N alternent, ce qui la rend polaire et engendre une polarisation spontanée ainsi qu'une polarisation piézoélectrique sous contrainte. C'est la raison de la formation d'un gaz d'électrons bidimensionnel dense à l'interface AlGaN/GaN, mais, dans les puits quantiques des LED, le champ de polarisation sépare les électrons et les trous et réduit le rendement. Le GaAs et ses analogues ont la structure blende cubique.
Le GaN adopte généralement la structure wurtzite hexagonale.
Quelle est la structure cristalline typique du GaN ?GaN (nitrure de gallium) Rendement (yield) GaAs (arséniure de gallium) Chute d'efficacité (efficiency droop) Ga2O3 (oxyde de gallium) Gap direct Gaz bidimensionnel d'électrons (2DEG) HEMT (transistor à haute mobilité électronique) InP (phosphure d'indium) Loi de Vegard