Betrouwbaarheid

Welke uitspraak over TDDB (time dependent dielectric breakdown) is juist?

  1. AEen verschijnsel waarbij metaalatomen van de bedrading door stroom verplaatsen
  2. BEen verschijnsel waarbij soldeerverbindingen vermoeien door herhaalde temperatuurveranderingen
  3. CEen verschijnsel waarbij, als voortdurend een elektrisch veld op de gate-isolator wordt aangelegd, na verloop van tijd doorslag optreedt
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Een verschijnsel waarbij, als voortdurend een elektrisch veld op de gate-isolator wordt aangelegd, na verloop van tijd doorslag optreedt

TDDB (Time Dependent Dielectric Breakdown) is het verschijnsel dat zelfs bij een veldsterkte waarbij het niet direct kapotgaat, bij langdurige belasting geleidelijk defecten in de isolerende laag ontstaan, en dat doorslag optreedt op het moment dat de defecten aaneengesloten tussen de elektroden een brug vormen. Hoe dunner de gate-isolator, hoe sterker het veld, dus het is een belangrijk betrouwbaarheidsitem. Het is ook een probleem bij low-k-lagen tussen bedrading. Verplaatsing van bedradingsatomen is elektromigratie en vermoeiing van soldeer is een defect door temperatuurcycli.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Betrouwbaarheid

  1. Wat is de juiste betekenis van FIT, de eenheid van uitvalsnelheid?
  2. Welke storing wordt bij de temperatuurcyclustest hoofdzakelijk beoordeeld?
  3. Wat wordt als ESD-maatregel (elektrostatische ontlading) aan de in- en uitgangsaansluitingen van een LSI aangebracht?
  4. Welk degradatieverschijnsel is het, waarbij de absolute waarde van de drempelspanning geleidelijk toeneemt als een negatieve gatespanning en hoge temperatuur voortdurend op een pMOS-transistor worden aangelegd?
  5. Welke uitspraak over latch-up in CMOS-schakelingen is juist?