Nederlands
Menu

Vermogenshalfgeleiders

Wat is de meest voorkomende nominale waarde voor de maximale junctietemperatuur (Tj max) van gebruikelijke silicium-vermogenscomponenten?

  1. Aca. 500 °C
  2. Bca. 50 °C
  3. Cca. 150 tot 175 °C
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. ca. 150 tot 175 °C

Bij silicium-vermogenscomponenten is een maximale junctietemperatuur van 150 °C of 175 °C gebruikelijk. Daarboven neemt de lekstroom sterk toe, treedt gemakkelijk thermal runaway op en wordt de levensduur sterk verkort. In het ontwerp wordt een marge ten opzichte van het maximum aangehouden (bijvoorbeeld gebruik bij ca. 125 °C). SiC kan als materiaal zelfs 300 °C of meer verdragen, maar de hittebestendigheid van verpakkingsmaterialen zoals soldeer, draden en hars vormt in de praktijk de beperking.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Vermogenshalfgeleiders

  1. Wat is de belangrijkste reden om bij de keuze van vermogenscomponenten een nominale spanning met marge aan te houden en een component met een hogere doorslagspanning dan de werkelijke gebruiksspanning te gebruiken (derating)?
  2. In welk geval wordt de “lawinevastheid” (avalanche ruggedness) van een vermogens-MOSFET belangrijk?
  3. Welke storing is typisch bij de “power-cycling-test”, waarbij een vermogensmodule herhaaldelijk temperatuurstijging en -daling ondergaat?
  4. Wat is het doel van een aparte sourceaansluiting voor de retourlijn van de gate-aansturing (Kelvin-source) in de behuizing van vermogenscomponenten voor snel schakelen?
  5. Welke schakeling maakt met een diode en een condensator een gatespanning die hoger is dan de voedingsspanning om de bovenste (high-side) n-kanaals-MOSFET van een halve brug aan te sturen?

Vergelijkingen bij dit onderwerp