Vermogenshalfgeleiders

Wat is het belangrijkste doel van het gebruik van een isolerend substraat (zoals een keramisch substraat) onder de vermogenschip in een vermogensmodule voor groot vermogen?

  1. AOm de chip te laten oplichten
  2. BOm de chip en het koellichaam elektrisch te isoleren en toch de warmte goed over te dragen
  3. COm de module zwaarder te maken
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Om de chip en het koellichaam elektrisch te isoleren en toch de warmte goed over te dragen

In een vermogensmodule moet worden geïsoleerd tussen de chip waarop hoge spanning staat en het geaarde koellichaam. Een isolerend substraat met aan beide zijden koper op een keramisch substraat van siliciumnitride (Si3N4), aluminiumnitride (AlN) of aluminiumoxide geleidt geen elektriciteit maar wel goed warmte. AlN heeft een hoge warmtegeleiding en Si3N4 een hoge mechanische sterkte en is moeilijk te breken, en wordt daarom gebruikt voor onder meer EV’s met grote temperatuurschommelingen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Vermogenshalfgeleiders

  1. Welk probleem vraagt om speciale tegenmaatregelen bij snel schakelen met SiC- en GaN-vermogenscomponenten?
  2. Hoe groot is bij benadering de spanning die ontstaat over een bedrading met een parasitaire inductantie van 10 nH wanneer de stroom in 10 ns met 10 A verandert?
  3. Wat is het juiste doel van een in voedingen gebruikte arbeidsfactorcorrectieschakeling (PFC)?
  4. Wat is het belangrijkste voordeel van SiC-vermogenscomponenten in de omvormer van een elektrische auto?
  5. Wat is de uitgangsspanning van een ideale step-downchopper (buck-converter) bij een ingangsspanning van 12 V en een duty cycle van de schakelaar van 0,25?

Vergelijkingen bij dit onderwerp