Quelle valeur est la plus proche de la mobilité des électrons à température ambiante dans un silicium faiblement dopé ?

Réponse : C. Environ 1 400 cm²/(V·s)

Dans le silicium faiblement dopé à température ambiante, la mobilité vaut environ 1 400 cm²/(V·s) pour les électrons et 450 cm²/(V·s) pour les trous. Dans le canal d'un MOSFET, elle tombe toutefois à environ la moitié ou moins, à cause de la diffusion par la rugosité de surface et les charges d'interface. Les électrons du GaAs atteignent environ 8 500 et ceux de l'InSb environ 77 000 cm²/(V·s) : certains semi-conducteurs composés sont bien plus rapides et servent aux applications haute fréquence. Quel que soit le matériau, la mobilité diminue quand le dopage augmente.