Welke waarde ligt het dichtst bij de bandkloof van silicium (Si) bij kamertemperatuur?

Antwoord: B. ca. 1,12 eV

De bandkloof van silicium bedraagt bij kamertemperatuur ca. 1,12 eV, en de bovengrens van de golflengte van absorbeerbaar licht is ca. 1,1 µm (1240 ÷ 1,12). Ca. 0,66 eV is de waarde van germanium, waarbij door de kleinere kloof bij hoge temperatuur gemakkelijk meer lekstroom ontstaat; ca. 3,4 eV is die van GaN, een halfgeleider met brede bandkloof die geschikt is voor hoge spanning, hoge temperatuur en blauwe LED’s. Silicium neemt een middenpositie in en werd, samen met de mogelijkheid om een goed thermisch oxide (SiO2) te vormen, de hoofdrolspeler van LSI.