Wat is bij benadering de resistiviteit van n-type silicium met een elektronendichtheid van 1×10¹⁶ cm⁻³ en een elektronenmobiliteit van 1000 cm²/V·s? (de bijdrage van gaten wordt verwaarloosd, elementaire lading 1,6×10⁻¹⁹ C)

Antwoord: B. ca. 0,6 Ω·cm

De geleidbaarheid is σ = qnμ = 1,6×10⁻¹⁹ × 1×10¹⁶ × 1000 = 1,6 S/cm, en de resistiviteit is het omgekeerde: ρ ≈ 0,63 Ω·cm. “ρ ≈ 1/(qnμ)” is de basisformule om uit de resistiviteit van een wafer de dopantconcentratie te schatten. In de praktijk worden conversietabellen gebruikt die de concentratieafhankelijkheid van de mobiliteit meenemen (zoals de ASTM-norm); bijvoorbeeld een p-type wafer van 1 tot 10 Ω·cm komt overeen met ca. 10¹⁵ cm⁻³ boor.