Welke waarde ligt het dichtst bij de bandkloof van germanium (Ge) bij kamertemperatuur?

Antwoord: A. ca. 0,66 eV

De bandkloof van germanium is bij kamertemperatuur ca. 0,66 eV, kleiner dan die van silicium (ca. 1,12 eV), en de absorptierand van licht ligt bij ca. 1,9 µm. Hierdoor wordt Ge gebruikt voor lichtdetectoren voor optische communicatiegolflengten (1,3 tot 1,55 µm). De eerste transistor (1947) was van Ge, maar vanwege de kleine kloof met gemakkelijk toenemende lekstroom en het feit dat geen goed oxide kan worden gevormd, werd silicium de hoofdrolspeler. Tegenwoordig wordt Ge in de vorm van SiGe gebruikt voor zijn mobiliteit.