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MOSFET

Quelle destruction peut survenir si l’on applique entre grille et source d’un MOSFET une tension dépassant largement la valeur nominale ?

  1. ALe claquage de l’isolant de grille
  2. BL’électromigration
  3. CL’erreur logicielle (soft error)
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Réponse : A. Le claquage de l’isolant de grille

L’isolant de grille ne mesure que quelques nm dans les produits avancés, et le champ de claquage du SiO2 est d’environ 10 MV/cm ; pour 2 nm, quelques V suffisent donc à le détruire. Après claquage, la grille et le canal sont court-circuités et le transistor est inutilisable. Comme l’électricité statique (quelques kV) le provoque facilement, les entrées/sorties des circuits intégrés comportent des circuits de protection ESD, et la tenue en tension de grille des MOSFET de puissance est d’environ ±20 V. Le TDDB, dégradation sous tension prolongée même dans les limites nominales, est aussi un enjeu de fiabilité.

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