차세대 메모리
STT-MRAM에서 읽기 전류의 크기에 제한이 필요한 이유로 올바른 것은 무엇입니까?
- A읽기 전류가 크면 MTJ의 저항이 영구적으로 변하기 때문
- B읽기 전류에서도 스핀 토크가 작용하므로, 너무 크면 기록층의 자화를 잘못 반전시키기 때문
- C읽기 전류가 크면 자성층이 녹기 때문
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정답: B. 읽기 전류에서도 스핀 토크가 작용하므로, 너무 크면 기록층의 자화를 잘못 반전시키기 때문
STT-MRAM은 읽기도 쓰기도 MTJ에 전류를 흘리므로, 읽기 전류가 쓰기의 반전 전류에 가까우면 읽을 때마다 확률적으로 자화가 반전될 우려가 있습니다(읽기 디스터브). 그래서 읽기 전류는 쓰기 전류보다 충분히 작게 설계하지만, 너무 작으면 신호가 약해져 읽기가 느려지고 오류가 나기 쉽습니다. 소자의 미세화로 쓰기 전류가 낮아질수록 이 양립은 더 어려워집니다.