Neue Speichertechnologien

Welche Methode zum Lesen von MRAM-Daten ist richtig?

  1. AEin kleiner Strom wird durch den MTJ geleitet und ob der Widerstand hoch oder niedrig ist, wird erfasst
  2. BEs wird ein starkes Magnetfeld angelegt und die Reaktion beobachtet
  3. CEs wird Licht eingestrahlt und das reflektierte Licht gemessen
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Antwort: A. Ein kleiner Strom wird durch den MTJ geleitet und ob der Widerstand hoch oder niedrig ist, wird erfasst

Beim Lesen von MRAM wird ein kleinerer Strom als beim Schreiben durch den MTJ geleitet und durch Vergleich mit einem Referenzwiderstand als Strom- oder Spannungsunterschied erfasst, ob parallel (niederohmig) oder antiparallel (hochohmig) vorliegt. Selbst bei einem TMR-Verhältnis von 100 bis 200 % beträgt der Widerstandsunterschied nur das Zwei- bis Dreifache, sodass die Lesereserve geringer ist als bei DRAM oder Flash. Da es sich um zerstörungsfreies Lesen ohne Umkehr der Magnetisierung handelt, ist kein Zurückschreiben nötig.

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