Welke uitspraak over de kenmerken van een FeFET, met een ferro-elektricum als gate-isolator, is juist?

Antwoord: A. De drempelspanning verandert met de polarisatierichting, zodat met één transistor niet-vluchtig kan worden opgeslagen en niet-destructief kan worden uitgelezen

Bij een FeFET verandert de lading die in het kanaal wordt geïnduceerd met de polarisatierichting van het ferro-elektricum in de gate-isolator, waardoor de drempelspanning verschuift. Een enkele transistor volstaat voor opslag (1T) en het uitlezen gebeurt aan de hand van het al dan niet vloeien van stroom. Niet-destructief uitlezen zonder polarisatieomkering is dus mogelijk. Schrijven gebeurt alleen met de gatespanning en het vermogensverbruik is laag. Sinds de ontdekking van ferro-elektrica op HfO2-basis is er hernieuwde aandacht; een verbetering van de herschrijfendurance is een uitdaging.