Datasheets lezen

Een behuizing heeft een toegestane dissipatie van 1,0 W tot een omgevingstemperatuur van 25 °C; daarboven neemt die lineair af tot 0 W bij 150 °C. Hoe groot is de toegestane dissipatie bij een omgevingstemperatuur van 75 °C?

  1. A0,6 W
  2. B0,4 W
  3. C0,5 W
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. 0,6 W

Over de 125 °C van 25 °C tot 150 °C neemt het vermogen met 1,0 W af, dus de helling is 1,0 W ÷ 125 °C = 8 mW/°C. 75 °C ligt 50 °C boven 25 °C, dus de afname is 50 × 8 mW = 0,4 W en de toegestane dissipatie 1,0 − 0,4 = 0,6 W. 0,4 W is de afname zelf, 0,5 W de fout waarbij evenredig vanaf 0 °C is gerekend. Deze curve volgt uit de maximale junctietemperatuur van 150 °C en θJA (hier 125 °C/W); let er ook op dat het, net als θJA, een waarde op een testprintplaat is.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Datasheets lezen

  1. Een silicium-vermogens-MOSFET heeft volgens de datasheet RDS(on) = 10 mΩ (Tj = 25 °C, VGS = 10 V). Welke benadering is juist bij gebruik rond Tj = 125 °C?
  2. Wat is juist over een MOSFET met een gespecificeerde VGS(th) = 1,0 tot 2,5 V (ID = 250 µA)?
  3. Hoeveel vermogen is ongeveer nodig voor de gate-aansturing van een MOSFET met een totale gatelading Qg = 50 nC bij een gatespanning van 10 V en een schakelfrequentie van 100 kHz?
  4. Hoe lees je de grafiek van de safe operating area (SOA) van een vermogens-MOSFET correct?
  5. Wat is juist over de sperhersteltijd trr in de datasheet van een diode?