Datasheets lezen

Hoe gebruik je de in de datasheet vermelde ψJT (thermische karakteriseringsparameter junctie–bovenkant behuizing) correct?

  1. ATel vermogen × ψJT op bij de omgevingstemperatuur om de junctietemperatuur te bepalen in plaats van met θJA
  2. BGebruik hem als thermische weerstand bij een koellichaam op de bovenkant van de behuizing, voor de keuze van het koellichaam
  3. CMeet in het echte apparaat de temperatuur van de bovenkant van de behuizing en tel daar vermogen × ψJT bij op om de junctietemperatuur te schatten
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Meet in het echte apparaat de temperatuur van de bovenkant van de behuizing en tel daar vermogen × ψJT bij op om de junctietemperatuur te schatten

ψJT is het verschil tussen de junctietemperatuur en de temperatuur van de bovenkant, gedeeld door het vermogen, in de normale montagesituatie waarin vrijwel alle warmte niet via de bovenkant van de behuizing maar (vooral) via de printplaat wegstroomt. Omdat het geen thermische weerstand is die een pad van de warmtestroom beschrijft, wordt ψ in plaats van θ gebruikt. Meet je in het echte apparaat de temperatuur Tt van de bovenkant met bijvoorbeeld een thermokoppel, dan kun je de junctietemperatuur schatten met Tj ≈ Tt + P × ψJT. Bij Tt = 70 °C, P = 1 W en ψJT = 2 °C/W is Tj bijvoorbeeld circa 72 °C. ψJT is een kleine waarde, dus als je vanuit de omgevingstemperatuur rekent, schat je de junctietemperatuur veel te laag in.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Datasheets lezen

  1. Een behuizing heeft een toegestane dissipatie van 1,0 W tot een omgevingstemperatuur van 25 °C; daarboven neemt die lineair af tot 0 W bij 150 °C. Hoe groot is de toegestane dissipatie bij een omgevingstemperatuur van 75 °C?
  2. Een silicium-vermogens-MOSFET heeft volgens de datasheet RDS(on) = 10 mΩ (Tj = 25 °C, VGS = 10 V). Welke benadering is juist bij gebruik rond Tj = 125 °C?
  3. Wat is juist over een MOSFET met een gespecificeerde VGS(th) = 1,0 tot 2,5 V (ID = 250 µA)?
  4. Hoeveel vermogen is ongeveer nodig voor de gate-aansturing van een MOSFET met een totale gatelading Qg = 50 nC bij een gatespanning van 10 V en een schakelfrequentie van 100 kHz?
  5. Hoe lees je de grafiek van de safe operating area (SOA) van een vermogens-MOSFET correct?