Datasheets lezen

Welke combinatie gebruik je als thermische weerstand van junctie tot omgeving bij het schatten van de junctietemperatuur van een vermogenscomponent met koellichaam?

  1. ADe θJA (junctie–omgeving) uit de datasheet plus de thermische weerstand koellichaam–omgeving
  2. BDe som van θJC, de thermische contactweerstand tussen behuizing en koellichaam en de thermische weerstand koellichaam–omgeving
  3. CAlleen de θJA (junctie–omgeving) uit de datasheet; een koellichaam verandert die waarde niet
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. De som van θJC, de thermische contactweerstand tussen behuizing en koellichaam en de thermische weerstand koellichaam–omgeving

θJC is de thermische weerstand van de junctie tot het koelvlak van de behuizing (case), gemeten met de case op een constante temperatuur. Met een koellichaam stroomt het grootste deel van de warmte van de case naar het koellichaam, dus tel je θJC, de thermische contactweerstand θCS van bijvoorbeeld siliconenpasta en de thermische weerstand θSA van het koellichaam in serie op. Bijvoorbeeld 1,0 + 0,5 + 3,0 = 4,5 °C/W; bij 10 W verlies is de temperatuurstijging dan 45 °C. θJA is gemeten zonder koellichaam, met het component op een testprintplaat, en is in dit geval dus niet bruikbaar.

Seriemodel van thermische weerstanden Met koellichaam Tj Tc Ts Ta θJC θCS θSA Junctie Behuizing Koellichaam Omgeving Warmtestroom P (vermogen) speelt de rol van stroom Tj = Ta + P × (θJC + θCS + θSA) Schatting met alleen θJA Tj Ta θJA Tj = Ta + P × θJA θJA is gemeten op een testprint en hangt af van de montage
Seriemodel van thermische weerstanden · Bekijken in het figurenoverzicht
Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Datasheets lezen

  1. Hoe gebruik je de in de datasheet vermelde ψJT (thermische karakteriseringsparameter junctie–bovenkant behuizing) correct?
  2. Een behuizing heeft een toegestane dissipatie van 1,0 W tot een omgevingstemperatuur van 25 °C; daarboven neemt die lineair af tot 0 W bij 150 °C. Hoe groot is de toegestane dissipatie bij een omgevingstemperatuur van 75 °C?
  3. Een silicium-vermogens-MOSFET heeft volgens de datasheet RDS(on) = 10 mΩ (Tj = 25 °C, VGS = 10 V). Welke benadering is juist bij gebruik rond Tj = 125 °C?
  4. Wat is juist over een MOSFET met een gespecificeerde VGS(th) = 1,0 tot 2,5 V (ID = 250 µA)?
  5. Hoeveel vermogen is ongeveer nodig voor de gate-aansturing van een MOSFET met een totale gatelading Qg = 50 nC bij een gatespanning van 10 V en een schakelfrequentie van 100 kHz?