Verbindungshalbleiter

Welche Einordnung von Silizium-Germanium (SiGe) ist richtig?

  1. AIII-V-Verbindungshalbleiter
  2. BMischkristall-(Legierungs-)Halbleiter aus Elementen der Gruppe IV
  3. CII-VI-Verbindungshalbleiter
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Antwort: B. Mischkristall-(Legierungs-)Halbleiter aus Elementen der Gruppe IV

SiGe ist ein Mischkristall-(Legierungs-)Halbleiter, in dem Silizium und Germanium aus derselben Gruppe IV in beliebigem Verhältnis gemischt sind. Beide haben die Diamantstruktur und sind über den gesamten Zusammensetzungsbereich mischbar; mit steigendem Ge-Anteil sinkt die Bandlücke, und die Gitterkonstante wächst. SiGe ist gut mit Siliziumprozessen verträglich und wird in der Basis von HBTs, in Schichten, die Source und Drain von pMOS eine Druckverspannung aufprägen, und als Opferschicht bei der Herstellung von GAA-Transistoren verwendet.

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