Verbindungshalbleiter

Welches Beispiel für Anwendungen von HBTs (Heterojunction Bipolar Transistors) aus InP oder GaAs ist richtig?

  1. ASpeicherzellen von DRAM
  2. BSchnelle Hochfrequenzschaltungen für optische und drahtlose Kommunikation
  3. CStromerzeugung durch die Wärme des Sonnenlichts
Antwort und Erläuterung anzeigen

Antwort: B. Schnelle Hochfrequenzschaltungen für optische und drahtlose Kommunikation

HBTs aus Verbindungshalbleitern unterdrücken mit einem Emitter großer Bandlücke die Rückinjektion von Löchern, erlauben eine hohe Dotierung und dünne Basis und sind wegen der hohen Elektronenbeweglichkeit schnell. HBTs auf GaAs-Basis (InGaP/GaAs) arbeiten mit einer einzigen Versorgungsspannung und effizient und sind daher in den Sendeleistungsverstärkern von Smartphones vorherrschend; InP-basierte HBTs nutzen eine fT von mehreren hundert GHz in elektronischen Schaltungen für die optische Kommunikation jenseits von 100 Gb/s und in der Forschung im Terahertzbereich.

Dieses Thema üben Zur Themenseite

Weitere Fragen zu Verbindungshalbleiter

  1. Welche Position nimmt Silizium überwiegend ein, wenn es GaAs für n-Leitung zugesetzt wird?
  2. Welcher Vorteil ergibt sich bei Hochfrequenz-ICs aus GaAs durch die Verwendung halbisolierender GaAs-Substrate?
  3. Welche Aussage zu Merkmalen von Micro-LED-Displays ist richtig?
  4. Welche Struktur wird bei den meisten derzeit verbreiteten GaN-Leistungsbauelementen verwendet?
  5. Welche Aussage zu Diamant, der auch als ultimatives Halbleitermaterial bezeichnet wird, ist richtig?