Bipolartransistor
Welche Aussage zum aktiven Bereich ist richtig, wenn die Ausgangskennlinien (IC-VCE) eines Transistors in Emitterschaltung mit dem Basisstrom IB als Parameter gezeichnet werden?
- AAlle Kurven sind Geraden durch den Ursprung
- BFür jedes IB verlaufen nahezu waagerechte Linien, die kaum von VCE abhängen
- CMit steigendem IB sinkt IC
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Antwort: B. Für jedes IB verlaufen nahezu waagerechte Linien, die kaum von VCE abhängen
Im aktiven Bereich wird der Kollektorstrom nahezu allein vom Basisstrom bestimmt und hängt kaum von VCE ab; die Ausgangskennlinien sind daher für jedes IB nahezu waagerechte Linien, deren Abstand hFE entspricht. Der leichte Anstieg nach rechts oben geht auf den Early-Effekt zurück, und der Kehrwert der Steigung ist der Ausgangswiderstand ro. Der Teil nahe dem Ursprung, in dem IC steil ansteigt, ist der Sättigungsbereich, unterhalb der Linie IB = 0 liegt der Sperrbereich. In dieses Diagramm wird die Lastgerade eingetragen, um Arbeitspunkt und Amplitude abzulesen.