Bipolartransistor

Welche Aussage zum aktiven Bereich ist richtig, wenn die Ausgangskennlinien (IC-VCE) eines Transistors in Emitterschaltung mit dem Basisstrom IB als Parameter gezeichnet werden?

  1. AAlle Kurven sind Geraden durch den Ursprung
  2. BFür jedes IB verlaufen nahezu waagerechte Linien, die kaum von VCE abhängen
  3. CMit steigendem IB sinkt IC
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Antwort: B. Für jedes IB verlaufen nahezu waagerechte Linien, die kaum von VCE abhängen

Im aktiven Bereich wird der Kollektorstrom nahezu allein vom Basisstrom bestimmt und hängt kaum von VCE ab; die Ausgangskennlinien sind daher für jedes IB nahezu waagerechte Linien, deren Abstand hFE entspricht. Der leichte Anstieg nach rechts oben geht auf den Early-Effekt zurück, und der Kehrwert der Steigung ist der Ausgangswiderstand ro. Der Teil nahe dem Ursprung, in dem IC steil ansteigt, ist der Sättigungsbereich, unterhalb der Linie IB = 0 liegt der Sperrbereich. In dieses Diagramm wird die Lastgerade eingetragen, um Arbeitspunkt und Amplitude abzulesen.

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