Nederlands
Menu

Bipolaire transistor

Welk model beschrijft het grootsignaalgedrag van een bipolaire transistor met twee diodes en stroombronnen?

  1. AShockley's uitputtingsbenadering
  2. BPoissonmodel
  3. CEbers-Mollmodel
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Ebers-Mollmodel

Het Ebers-Mollmodel beschouwt de basis-emitter- en basis-collectorovergang elk als diode en combineert die met afhankelijke stroombronnen die een stroom laten vloeien evenredig met de stroom van de andere overgang. Het beschrijft alle gebieden (actief, verzadiging, afsnijding en omgekeerd actief) met één formule. Het Gummel-Poonmodel voegt hieraan het Early-effect, hoge-injectie-effecten en ladingsopslag toe en vormt de basis van het bipolaire model in SPICE.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Bipolaire transistor

  1. Welke uitspraak over de afhankelijkheid van de stroomversterking hFE van een bipolaire transistor van de collectorstroom is juist?
  2. Welk verband tussen de doorslagspanning BVCEO tussen collector en emitter bij open basis en de doorslagspanning BVCBO tussen collector en basis bij open emitter is juist?
  3. Welke uitspraak over het Miller-effect, dat de hoogfrequentprestaties van een gemeenschappelijke-emitterversterker verslechtert, is juist?
  4. Wat is het doel van een transistor met een parallel tussen basis en collector geplaatste schottky-barrièrediode (schottkyklem)?
  5. Welke biasvoorwaarde is juist wanneer een NPN-transistor voor versterking wordt gebruikt (in het actieve gebied)?

Vergelijkingen bij dit onderwerp