Nederlands
Menu

Bipolaire transistor

Hoeveel bedraagt het collectorverlies van een transistor die werkt bij een collector-emitterspanning van 5 V en een collectorstroom van 100 mA?

  1. A50 W
  2. B0,05 W
  3. C0,5 W
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. 0,5 W

Het vermogen dat in een transistor in warmte wordt omgezet (collectorverlies) is PC ≈ VCE × IC, dus 5 V × 0,1 A = 0,5 W. De temperatuurstijging is "verlies × thermische weerstand"; bij een TO-92-package met een thermische weerstand van 200 ℃/W stijgt de temperatuur bij 0,5 W bijvoorbeeld met circa 100 ℃, en afhankelijk van de omgevingstemperatuur wordt de bovengrens van de junctietemperatuur (circa 150 ℃) overschreden. Het maximale verlies in het datablad geldt bij een omgevingstemperatuur van 25 ℃ en wordt bij hogere temperaturen verlaagd (derating).

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Bipolaire transistor

  1. Welke uitspraak over het verschil in sturing tussen een bipolaire transistor en een MOSFET is juist?
  2. Hoeveel bedraagt de grootte van de spanningsversterking van een gemeenschappelijke-emitterversterker ongeveer bij steilheid gm = 40 mS en collectorweerstand RC = 5 kΩ? (de belasting wordt verwaarloosd)
  3. Welke toestand van de overgangen is juist wanneer een bipolaire transistor in het verzadigingsgebied is?
  4. Welke uitspraak over het actieve gebied is juist als de uitgangskarakteristiek (IC-VCE) van een transistor in gemeenschappelijke-emitterschakeling met de basisstroom IB als parameter wordt getekend?
  5. Wat stelt de "belastingslijn" voor die in de figuur van de uitgangskarakteristiek van een transistorversterker wordt getekend?

Vergelijkingen bij dit onderwerp