Bipolaire transistor

Welke uitspraak over het verschil in sturing tussen een bipolaire transistor en een MOSFET is juist?

  1. ADe bipolaire transistor wordt met de basisstroom gestuurd en de MOSFET met de gatespanning (er vloeit vrijwel geen gelijkstroom in de gate)
  2. BDe bipolaire transistor wordt met licht gestuurd en de MOSFET met temperatuur
  3. CBeide worden met de gatespanning gestuurd en er vloeit geen gelijkstroom in de stuuraansluiting
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. De bipolaire transistor wordt met de basisstroom gestuurd en de MOSFET met de gatespanning (er vloeit vrijwel geen gelijkstroom in de gate)

Een bipolaire transistor is stroomgestuurd: de basisstroom regelt de collectorstroom. Een MOSFET is spanningsgestuurd, met de gate door een isolatiefilm gescheiden; de statische gatestroom is vrijwel 0, maar bij elke schakeling vloeit een stroom voor het laden en ontladen van de gatecapaciteit. Bij lage snelheden is het stuurvermogen daarom klein, terwijl bij hoge snelheden en grote vermogens het vermogen van de stuurschakeling belangrijk wordt. De IGBT, met MOS-gatesturing, combineert de voordelen van beide.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Bipolaire transistor

  1. Hoeveel bedraagt de grootte van de spanningsversterking van een gemeenschappelijke-emitterversterker ongeveer bij steilheid gm = 40 mS en collectorweerstand RC = 5 kΩ? (de belasting wordt verwaarloosd)
  2. Welke toestand van de overgangen is juist wanneer een bipolaire transistor in het verzadigingsgebied is?
  3. Welke uitspraak over het actieve gebied is juist als de uitgangskarakteristiek (IC-VCE) van een transistor in gemeenschappelijke-emitterschakeling met de basisstroom IB als parameter wordt getekend?
  4. Wat stelt de "belastingslijn" voor die in de figuur van de uitgangskarakteristiek van een transistorversterker wordt getekend?
  5. Welke waarde benadert het maximale vermogensrendement van een ideale klasse-B-push-pullversterker het best?

Vergelijkingen bij dit onderwerp