Hoeveel bedraagt de steilheid gm van een bipolaire transistor die bij een collectorstroom van 1 mA werkt ongeveer? (kamertemperatuur, thermische spanning VT ≈ 26 mV)

Antwoord: B. Circa 38 mS

De steilheid van een bipolaire transistor is gm = IC/VT, dus 1 mA ÷ 26 mV ≈ 38 mS. Kenmerkend is dat deze alleen door de stroom wordt bepaald en niet afhangt van de grootte van de transistor of productiespreiding. Bij een MOSFET is gm = 2ID/(VGS − Vth); omdat VGS − Vth gewoonlijk 0,1 V of meer is, is gm bij dezelfde stroom bij een bipolaire transistor 2 tot 4 maal groter. Deze grote gm is een van de redenen waarom bipolaire transistoren worden gebruikt in analoge schakelingen met weinig ruis en hoge versterking.