Bipolartransistor

Welche Vorspannungsbedingung gilt, wenn ein NPN-Transistor zur Verstärkung eingesetzt wird (im aktiven Bereich betrieben wird)?

  1. ABasis-Emitter in Durchlassrichtung, Basis-Kollektor in Sperrrichtung
  2. BBasis-Emitter in Sperrrichtung, Basis-Kollektor in Durchlassrichtung
  3. CBasis-Emitter und Basis-Kollektor beide in Durchlassrichtung
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Antwort: A. Basis-Emitter in Durchlassrichtung, Basis-Kollektor in Sperrrichtung

Im aktiven Bereich wird der Basis-Emitter-Übergang in Durchlassrichtung betrieben, sodass Elektronen vom Emitter in die Basis injiziert werden. Der Basis-Kollektor-Übergang liegt in Sperrrichtung und zieht die durch die Basis gelangten Elektronen mit einem starken Feld in den Kollektor. Der Kollektorstrom hängt kaum von der Kollektorspannung ab, sondern wird vom Basisstrom (bzw. von VBE) bestimmt; dadurch ist eine Verstärkung möglich. Sind beide Übergänge in Durchlassrichtung, liegt der Sättigungsbereich vor (Schalter ein), sind beide in Sperrrichtung, der Sperrbereich (aus).

Betrieb eines NPN-Transistors im aktiven Bereich Emitter n⁺ Basis p Kollektor n B-E-Übergang: Durchlassrichtung B-C-Übergang: Sperrrichtung Die meisten vom Emitter injizierten Elektronen durchqueren die Basis und erreichen den Kollektor Je dünner die Basis, desto weniger Rekombination und desto größer die Stromverstärkung
Betrieb eines NPN-Transistors im aktiven Bereich · Im Diagrammverzeichnis ansehen
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