SRAM과 플래시 메모리
SSD의 가비지 컬렉션에 대한 설명으로 올바른 것은?
- A무효가 된 데이터를 포함한 블록에서 유효한 데이터를 다른 곳으로 옮기고, 블록을 소거하여 빈 영역을 만드는 처리
- B컴퓨터 바이러스를 제거하는 처리
- C데이터를 압축하는 처리
정답과 해설 보기
정답: A. 무효가 된 데이터를 포함한 블록에서 유효한 데이터를 다른 곳으로 옮기고, 블록을 소거하여 빈 영역을 만드는 처리
NAND는 덮어쓰기가 불가능하고 소거는 블록 단위로만 할 수 있기 때문에, 재기록할 때마다 이전 버전이 무효 페이지로 남습니다. 컨트롤러는 무효 페이지가 많은 블록을 골라 유효한 데이터를 다른 블록으로 옮긴 뒤 원래 블록을 소거하여 빈 영역을 만듭니다. 이 추가 복사가 쓰기 증폭의 원인이며, 빈 용량이 적을수록 빈번해져 쓰기 성능이 떨어집니다.