Qu'est-ce que Injection de fautes par laser ?

Attaque par injection de fautes qui envoie de courtes impulsions de lumière laser sur une puce dont le boîtier a été ouvert, afin de créer des courants près des transistors ou des cellules mémoire et de provoquer des dysfonctionnements à un endroit et à un instant choisis. On envoie souvent, par la face arrière du substrat aminci, une lumière proche infrarouge autour de 1 µm, que le silicium absorbe faiblement, ce qui permet de choisir précisément la cible. On s'en protège notamment par des capteurs de lumière, la duplication des calculs critiques et des mécanismes qui effacent les clés lorsque des erreurs sont détectées.

Nom japonais: レーザ故障注入

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Domaine: Sécurité matérielle : évolutions récentes

S'entraîner : questions sur Injection de fautes par laser

Pour une attaque par injection de fautes, quelle association des caractéristiques des méthodes par laser et des méthodes par impulsions électromagnétiques est correcte ?

  1. ALe laser est souvent appliqué en lumière proche infrarouge par la face arrière d'une puce décapsulée et permet de choisir très précisément l'endroit visé. Les impulsions électromagnétiques sont appliquées par une bobine et fonctionnent parfois sans décapsulation, mais la zone touchée est relativement large
  2. BLe laser traverse la résine du boîtier, ce qui permet d'atteindre un transistor choisi sans décapsuler la puce. Les impulsions électromagnétiques ne fonctionnent que si la puce est meulée pour exposer les interconnexions
  3. CLe laser comme les impulsions électromagnétiques élèvent brusquement la température d'une partie de la puce et font fondre des interconnexions ou des transistors, modifiant le fonctionnement du circuit par un dommage permanent
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Réponse : A. Le laser est souvent appliqué en lumière proche infrarouge par la face arrière d'une puce décapsulée et permet de choisir très précisément l'endroit visé. Les impulsions électromagnétiques sont appliquées par une bobine et fonctionnent parfois sans décapsulation, mais la zone touchée est relativement large

La largeur de bande interdite du silicium est d'environ 1,12 eV, et la lumière de longueur d'onde supérieure à environ 1,1 µm n'est presque pas absorbée. La lumière proche infrarouge autour de 1 µm, faiblement absorbée, pénètre profondément depuis la face arrière d'un substrat aminci et est en partie absorbée près des transistors, où elle crée des paires électron-trou. La face avant est couverte de nombreuses couches d'interconnexions métalliques ; l'injection de fautes par laser se fait donc généralement par la face arrière, et le photocourant fait dysfonctionner des transistors ou des cellules SRAM précis. Avec les impulsions électromagnétiques, un fort courant traverse brièvement une bobine pour créer une forte variation du champ magnétique, qui induit des tensions dans les interconnexions et le réseau d'alimentation de la puce et provoque des dysfonctionnements. Les contre-mesures combinent des capteurs qui détectent la lumière ou les champs électromagnétiques, la duplication des calculs critiques et des mécanismes qui effacent les clés lorsque des erreurs sont détectées.

« Injection de fautes par laser » dans les explications

Questions mentionnant « Injection de fautes par laser » (1)

  1. Pour une attaque par injection de fautes, quelle association des caractéristiques des méthodes par laser et des méthodes par impulsions électromagnétiques est correcte ?

Termes associés

Attaque par injection de fautes Bande interdite (bandgap) Arm CCA (Confidential Compute Architecture) Attaque par exécution transitoire Authentification de pointeurs (PAC) CHERI DICE (Device Identifier Composition Engine) FIPS 140-3 HBOM (nomenclature matérielle) Informatique confidentielle (confidential computing)

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