Wat is Laserfoutinjectie (laser fault injection)?

Antwoord: A. Een laser wordt vaak met nabij-infrarood licht op de achterkant van een geopende chip gericht en kan de plaats heel nauwkeurig kiezen. Elektromagnetische pulsen worden met een spoel toegepast en werken soms zonder de chip te openen, maar het getroffen gebied is relatief groot

De bandgap van silicium is ongeveer 1,12 eV, en licht met een golflengte langer dan ongeveer 1,1 µm wordt nauwelijks geabsorbeerd. Nabij-infrarood licht rond 1 µm wordt maar zwak geabsorbeerd, dringt vanaf de achterkant van een gedund substraat diep door en wordt deels in de buurt van de transistors geabsorbeerd, waarbij elektron-gatparen ontstaan. De voorkant is bedekt met veel metalen bedradingslagen, dus bij laserfoutinjectie wordt meestal vanaf de achterkant belicht, en met de fotostroom worden bepaalde transistors of SRAM-cellen tot storingen gebracht. Bij elektromagnetische pulsen wordt kort een grote stroom door een spoel gestuurd om een sterke verandering van het magnetisch veld te veroorzaken, die spanningen in de bedrading en het voedingsnet van de chip opwekt en storingen veroorzaakt. Als tegenmaatregel worden sensoren die licht of elektromagnetische velden detecteren, verdubbeling van kritieke berekeningen en mechanismen die sleutels wissen wanneer fouten worden gedetecteerd, gecombineerd.