패키지를 연 칩에 레이저 빛을 짧은 펄스로 쏘아 트랜지스터나 메모리 셀 근처에 전류를 발생시켜, 노린 위치와 시각에 오동작을 일으키는 오류 주입 공격. 실리콘에 그다지 흡수되지 않는 1 µm 부근의 근적외광을 얇게 만든 기판의 뒷면에서 쏘는 경우가 많으며, 노리는 위치를 세밀하게 고를 수 있다. 빛을 감지하는 센서, 중요한 계산의 이중화, 오류를 감지하면 키를 지우는 구조 등으로 대책한다.
일본어 명칭: レーザ故障注入
레이저 오류 주입(Laser Fault Injection)은(는) 하드웨어 보안의 최신 동향 등 1개 분야의 연습 문제 1개에 나와요.
분야: 하드웨어 보안의 최신 동향
정답: A. 레이저는 개봉한 칩에 뒷면에서 근적외광을 쏘는 경우가 많고, 노리는 위치를 세밀하게 고를 수 있다. 전자기 펄스는 코일로 가하며, 개봉하지 않고 쓸 수 있는 경우도 있지만 노릴 수 있는 범위는 비교적 넓다
실리콘의 밴드갭은 약 1.12 eV로, 파장이 약 1.1 µm보다 긴 빛은 거의 흡수되지 않습니다. 1 µm 부근의 근적외광은 흡수가 약하므로 얇게 만든 기판의 뒷면에서 깊숙이 도달하며, 트랜지스터 근처에서 일부가 흡수되어 전자와 정공의 쌍을 만듭니다. 앞면은 많은 금속 배선층으로 덮여 있으므로 레이저 오류 주입에서는 뒷면에서 쏘는 것이 일반적이며, 빛이 만드는 전류로 특정 트랜지스터나 SRAM 셀을 노려 오동작시킵니다. 전자기 펄스에서는 코일에 큰 전류를 짧게 흘려 강한 자기장 변화를 일으키고, 칩 안의 배선이나 전원망에 전압을 발생시켜 오동작시킵니다. 대책으로 빛이나 전자기장을 감지하는 센서, 중요한 계산의 이중화, 오류를 감지하면 키를 지우는 구조 등을 조합합니다.
앞면은 많은 금속 배선층으로 덮여 있으므로 레이저 오류 주입에서는 뒷면에서 쏘는 것이 일반적이며, 빛이 만드는 전류로 특정 트랜지스터나 SRAM 셀을 노려 오동작시킵니다.
오류 주입 공격 중 레이저를 사용하는 방법과 전자기 펄스를 사용하는 방법의 특징 조합으로 올바른 것은?폴트 인젝션 공격(Fault Injection Attack) 밴드갭(Bandgap) 기밀 컴퓨팅(Confidential Computing) 로직 로킹(Logic Locking) 섀도 스택(Shadow Stack) 수론 변환(Number-Theoretic Transform) 일시적 실행 공격(Transient Execution Attack) 제어 흐름 무결성(Control-Flow Integrity) 포인터 인증(PAC) Arm CCA(Confidential Compute Architecture)