Pour une attaque par injection de fautes, quelle association des caractéristiques des méthodes par laser et des méthodes par impulsions électromagnétiques est correcte ?

Réponse : A. Le laser est souvent appliqué en lumière proche infrarouge par la face arrière d'une puce décapsulée et permet de choisir très précisément l'endroit visé. Les impulsions électromagnétiques sont appliquées par une bobine et fonctionnent parfois sans décapsulation, mais la zone touchée est relativement large

La largeur de bande interdite du silicium est d'environ 1,12 eV, et la lumière de longueur d'onde supérieure à environ 1,1 µm n'est presque pas absorbée. La lumière proche infrarouge autour de 1 µm, faiblement absorbée, pénètre profondément depuis la face arrière d'un substrat aminci et est en partie absorbée près des transistors, où elle crée des paires électron-trou. La face avant est couverte de nombreuses couches d'interconnexions métalliques ; l'injection de fautes par laser se fait donc généralement par la face arrière, et le photocourant fait dysfonctionner des transistors ou des cellules SRAM précis. Avec les impulsions électromagnétiques, un fort courant traverse brièvement une bobine pour créer une forte variation du champ magnétique, qui induit des tensions dans les interconnexions et le réseau d'alimentation de la puce et provoque des dysfonctionnements. Les contre-mesures combinent des capteurs qui détectent la lumière ou les champs électromagnétiques, la duplication des calculs critiques et des mécanismes qui effacent les clés lorsque des erreurs sont détectées.