フォーミング란?
ふぉーみんぐ
ReRAMの製造後、最初に比較的高い電圧を加えて、抵抗変化の起点となる導電性フィラメントをつくる初期化工程。
일본어 명칭: フォーミング
분야: 차세대 메모리
관련 용어
3D XPoint 磁気トンネル接合(MTJ) FeFET(強誘電体トランジスタ) FeRAM(強誘電体メモリ) MRAM PCM(相変化メモリ) ReRAM(抵抗変化メモリ) SOT-MRAM STT-MRAM TMR比
ふぉーみんぐ
ReRAMの製造後、最初に比較的高い電圧を加えて、抵抗変化の起点となる導電性フィラメントをつくる初期化工程。
일본어 명칭: フォーミング
분야: 차세대 메모리
3D XPoint 磁気トンネル接合(MTJ) FeFET(強誘電体トランジスタ) FeRAM(強誘電体メモリ) MRAM PCM(相変化メモリ) ReRAM(抵抗変化メモリ) SOT-MRAM STT-MRAM TMR比