Physique des semi-conducteurs

Quelle valeur est la plus proche de la permittivité relative du silicium ?

  1. AEnviron 11,7
  2. BEnviron 80
  3. CEnviron 3,9
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : A. Environ 11,7

La permittivité relative du silicium vaut environ 11,7 ; elle sert au calcul de la largeur de la zone de déplétion (W = √(2εV/qN)) et de la capacité de jonction. Celle du SiO2 vaut environ 3,9, et les performances des isolants de grille se comparent par l'épaisseur d'oxyde équivalente (EOT) rapportée à cette valeur. Les matériaux High-k comme le HfO2 (environ 20 à 25) permettent d'obtenir la même capacité qu'un SiO2 mince avec une épaisseur physique plus grande, limitant le courant tunnel. Entre les interconnexions, on utilise au contraire des matériaux Low-k de faible permittivité.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Physique des semi-conducteurs

  1. Quelle valeur est la plus proche de la mobilité des électrons à température ambiante dans un silicium faiblement dopé ?
  2. Pourquoi la probabilité qu'un électron et un trou se recombinent en émettant de la lumière est-elle faible dans un semi-conducteur à gap indirect comme le silicium ?
  3. Dans un semi-conducteur écarté de l'équilibre thermique par éclairement ou injection de courant, comment appelle-t-on les niveaux introduits pour représenter séparément la densité d'électrons et la densité de trous ?
  4. Quelle valeur est la plus proche du paramètre de maille du cristal de silicium ?
  5. Pourquoi le niveau de Fermi intrinsèque du silicium s'écarte-t-il légèrement du milieu exact de la bande interdite ?