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MOSFET

Dans un MOSFET à canal court, quelle est la cause principale pour laquelle le courant de drain devient inférieur à la loi quadratique en (VGS − Vth) et présente une dépendance proche d’une loi linéaire ?

  1. AL’effet de substrat
  2. BL’augmentation de la capacité de grille
  3. CLa saturation de vitesse des porteurs
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Réponse : C. La saturation de vitesse des porteurs

Lorsque le canal raccourcit, le champ électrique dans le canal s’intensifie et la vitesse des porteurs atteint la vitesse de saturation (environ 1×10⁷ cm/s pour les électrons dans le silicium). Le courant devient alors ID ≈ W·Cox·vsat·(VGS − Vth), avec une dépendance proche de la puissance 1 de (VGS − Vth). Dans ce régime, raccourcir la grille n’augmente pas le courant autant qu’espéré ; les performances ont donc progressé par l’amélioration de la mobilité par contrainte, l’augmentation de la capacité de grille et la réduction des résistances parasites.

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