在CMOS影像感測器的嵌入式光電二極體（釘扎光電二極體）中，於表面設置高濃度p+層的主要目的為下列何者？

正確答案：C. 為了抑制由表面界面能態所造成的暗電流

矽與氧化膜的界面存在大量界面能態，是暗電流的主要產生來源。將光電二極體的n層嵌入而遠離表面，並以高濃度p+層覆蓋表面，界面能態就會被電洞填滿而抑制電子的產生，可大幅降低暗電流。此外，n層會完全空乏，因此電荷可以全部轉移（完全轉移），也能減少殘影與重置雜訊。目前幾乎所有像素都採用這種結構。