Wat is het belangrijkste doel van een p+-laag met hoge concentratie aan het oppervlak van de ingebedde fotodiode (pinned photodiode) van een CMOS-beeldsensor?

Antwoord: C. De donkerstroom onderdrukken die door grensvlaktoestanden aan het oppervlak wordt veroorzaakt

Aan het grensvlak tussen silicium en oxide zijn veel grensvlaktoestanden, die een grote bron van donkerstroom vormen. Als de n-laag van de fotodiode van het oppervlak af wordt ingebed en het oppervlak met een p+-laag met hoge concentratie wordt bedekt, worden de grensvlaktoestanden met gaten gevuld en wordt het ontstaan van elektronen onderdrukt, zodat de donkerstroom sterk afneemt. Ook wordt de n-laag volledig uitgeput, zodat alle lading kan worden overgedragen (volledige overdracht) en nabeeld en resetruis afnemen. Vrijwel alle huidige pixels hebben deze structuur.