이미지 센서와 광소자
CMOS 이미지 센서의 매립형 포토다이오드(핀드 포토다이오드)에서 표면에 고농도 p+층을 두는 주된 목적은?
- A컬러 필터를 대신하기 위해
- B화소를 크게 하기 위해
- C표면의 계면 준위에 기인하는 암전류를 억제하기 위해
정답과 해설 보기
정답: C. 표면의 계면 준위에 기인하는 암전류를 억제하기 위해
실리콘과 산화막의 계면에는 많은 계면 준위가 있어 암전류의 큰 발생원이 됩니다. 포토다이오드의 n층을 표면에서 떼어 매립하고 표면을 고농도 p+층으로 덮으면 계면 준위가 정공으로 채워져 전자의 발생이 억제되어 암전류를 크게 줄일 수 있습니다. 또한 n층이 완전히 공핍화되므로 전하를 모두 전송할 수 있어(완전 전송) 잔상이나 리셋 노이즈도 줄일 수 있습니다. 현재의 거의 모든 화소가 이 구조입니다.