Verbindungshalbleiter
Welche Aussage zur Wärmeleitfähigkeit von GaAs im Vergleich zu Silizium ist richtig?
- ASie ist niedriger (etwa ein Drittel der von Silizium)
- BSie ist weit höher als die von Silizium
- CSie ist gleich der von Silizium
Antwort und Erläuterung anzeigen
Antwort: A. Sie ist niedriger (etwa ein Drittel der von Silizium)
Die Wärmeleitfähigkeit von GaAs beträgt etwa 46 W/(m·K) und damit etwa ein Drittel der von Silizium (ca. 150). Bei Hochleistungsbauelementen ist daher eine Entwärmung wichtig, z. B. durch Abschleifen des Substrats auf etwa 50 bis 100 µm und Wärmeableitung über Rückseitenmetall und Durchkontaktierungen (Vias). SiC (ca. 400) hat eine hohe Wärmeleitfähigkeit, was einer der Gründe ist, weshalb es als Substrat für GaN-Hochleistungsbauelemente verwendet wird. Auch InP liegt mit etwa 68 eher niedrig.