Bipolartransistor
Was ist der Zweck eines Transistors mit parallel zwischen Basis und Kollektor geschalteter Schottky-Barrierendiode (Schottky-Klemmung)?
- ADie Stromverstärkung zu erhöhen
- BZu verhindern, dass der Transistor tief in Sättigung geht, und durch geringere Speicherladung das Schalten zu beschleunigen
- CDie Durchbruchspannung zu erhöhen
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Antwort: B. Zu verhindern, dass der Transistor tief in Sättigung geht, und durch geringere Speicherladung das Schalten zu beschleunigen
Die Schottky-Diode leitet bereits bei etwa 0,3 V und damit bei niedrigerer Spannung als der pn-Übergang (etwa 0,7 V). Sie leitet überschüssigen Basisstrom ab, bevor der Basis-Kollektor-Übergang tief in Durchlassrichtung gerät, und verhindert so tiefe Sättigung. Die in der Basis gespeicherten Minoritätsladungsträger nehmen ab, das Ausschalten wird schneller, und die Technik wurde bei den Serien 74S und 74LS (Schottky-TTL) für höhere Geschwindigkeit und geringeren Verbrauch genutzt. VCE(sat) ist mit etwa 0,4 V etwas höher.