Bipolartransistor

Welche Bedingung vergrößert den Kleinsignal-Eingangswiderstand (hie) einer Emitterschaltung?

  1. AVerringerung des Kollektorstroms oder Einsatz eines Transistors mit größerer Stromverstärkung
  2. BVergrößerung des Kollektorstroms
  3. CAbsenken der Temperatur
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Antwort: A. Verringerung des Kollektorstroms oder Einsatz eines Transistors mit größerer Stromverstärkung

Der Eingangswiderstand in Emitterschaltung beträgt hie ≈ hFE × VT/IC = hFE/gm und wird größer, wenn der Kollektorstrom verringert oder ein Transistor mit höherem hFE verwendet wird. Bei hFE = 100 und IC = 1 mA sind es etwa 2,6 kΩ. Ein geringerer Strom senkt auch gm und damit die Verstärkung, sodass der Arbeitspunkt als Kompromiss zwischen Eingangswiderstand und Verstärkung gewählt wird. Soll der Eingangswiderstand weiter steigen, werden Emitterfolger, Darlington-Schaltung oder Gegenkopplung mit einem Emitterwiderstand eingesetzt.

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