Der Faktor n in der Diodengleichung I ∝ exp(qV/nkT). Er liegt nahe 1, wenn der Diffusionsstrom überwiegt, und nahe 2, wenn die Rekombination in der Verarmungszone überwiegt; er zeigt also die Qualität des Übergangs an.
Japanische Bezeichnung: 理想係数
Fachgebiet: PN-Übergänge und Dioden
Diffusionskapazität (diffusion capacitance) Diffusionsspannung Durchlassrichtung (Flussspannung anlegen) Lawinendurchbruch Leitfähigkeitsmodulation (conductivity modulation) Ohmscher Kontakt (ohmic contact) Raumladungszone (Sperrschicht) Schottky-Diode (Schottky barrier diode) Sperrschichtkapazität (Verarmungskapazität, junction capacitance) Sperrverzögerungszeit (reverse recovery time)