Welcher Wert kommt der Bandlücke von Germanium (Ge) bei Raumtemperatur am nächsten?

Antwort: A. etwa 0,66 eV

Die Bandlücke von Germanium beträgt bei Raumtemperatur etwa 0,66 eV, ist also kleiner als die von Silizium (etwa 1,12 eV), und die Absorptionskante liegt bei etwa 1,9 µm. Wegen dieser Eigenschaft wird es für Fotoempfänger im Wellenlängenbereich der optischen Kommunikation (1,3 bis 1,55 µm) verwendet. Der erste Transistor (1947) war aus Ge, doch wegen der kleinen Lücke, die leicht zu Leckströmen führt, und weil sich keine hochwertige Oxidschicht herstellen lässt, trat es seine Rolle an Silizium ab. Heute wird es unter Nutzung der Beweglichkeit in Form von SiGe eingesetzt.