Halbleiterphysik
Welcher Wert kommt der intrinsischen Ladungsträgerdichte von Silizium bei Raumtemperatur am nächsten?
- Aetwa 1×10⁴ cm⁻³
- Betwa 1×10¹⁰ cm⁻³
- Cetwa 1×10²² cm⁻³
Antwort und Erläuterung anzeigen
Antwort: B. etwa 1×10¹⁰ cm⁻³
Die intrinsische Ladungsträgerdichte von Silizium beträgt bei Raumtemperatur etwa 1×10¹⁰ cm⁻³ (je nach Literatur 1,0 bis 1,5×10¹⁰). Verglichen mit der Atomdichte von etwa 5×10²² cm⁻³ gibt es nur etwa bei einem von 10¹² Atomen einen freien Ladungsträger. Germanium hat etwa 2×10¹³ und GaAs etwa 2×10⁶ cm⁻³; je größer die Bandlücke, desto um Größenordnungen kleiner. Diese Kleinheit von ni ist der Grund, weshalb sich die Leitfähigkeit durch geringe Dotierung frei steuern lässt.