Wie verhält sich bei der Hochfrequenz-C-V-Kennlinie eines MOS-Kondensators mit p-Substrat die Kapazität, wenn eine große positive Spannung an das Gate gelegt und starke Inversion erzeugt wird?

Antwort: A. Sie bleibt nahezu konstant auf dem Minimalwert

Bei Hochfrequenz (üblicherweise 1 MHz) kann die Erzeugung von Minoritätsladungsträgern in der Inversionsschicht der Signaländerung nicht folgen, und die Inversionsschicht trägt nicht zur Wechselstromkapazität bei. Die Kapazität bleibt daher nahezu konstant auf dem Minimalwert, der sich aus der Reihenschaltung von Cox und der Verarmungskapazität bei maximaler Verarmungsbreite ergibt. Bei niedriger Frequenz (quasistatisch) reagiert die Inversionsschicht, und die Kapazität kehrt auf Cox zurück. Aus dem Verhältnis von minimaler und maximaler Kapazität lässt sich die Substratdotierung bestimmen, was zur Bewertung der MOS-Struktur dient.