MOSFET

Was geschieht mit der Gate-Kapazität pro Fläche, wenn bei unverändertem Material und unveränderter Fläche des Gateisolators nur die Schichtdicke verringert wird?

  1. ASie wird größer
  2. BSie wird kleiner
  3. CSie ändert sich nicht
Antwort und Erläuterung anzeigen

Antwort: A. Sie wird größer

Die Gate-Kapazität lässt sich als Plattenkondensator auffassen und beträgt pro Fläche Cox = ε/t. Eine dünnere Schicht erhöht die Kapazität; bei gleicher Gate-Spannung werden mehr Ladungen im Kanal induziert, der Treiberstrom steigt, und auch Kurzkanaleffekte werden unterdrückt. Wird SiO2 jedoch auf etwa 1,2 nm verdünnt, erreicht der Gate-Leckstrom durch Tunnelströme seine Grenze; ab der 45-nm-Generation werden daher High-k-Materialien auf HfO2-Basis verwendet, die sich physikalisch dicker ausführen lassen.

Dieses Thema üben Zur Themenseite

Weitere Fragen zu MOSFET

  1. Welche Begründung für den geringen statischen (stationären) Stromverbrauch eines CMOS-Inverters ist richtig?
  2. Wovon ist der Drain-Strom ID eines Langkanal-MOSFETs im Sättigungsbereich in etwa proportional? (VGS: Gate-Source-Spannung, Vth: Schwellenspannung)
  3. Bei nMOS und pMOS gleicher Abmessungen ist der Treiberstrom des nMOS im Allgemeinen größer. Was ist der Hauptgrund?
  4. Was geschieht mit der Schwellenspannung eines n-Kanal-MOSFETs, wenn das Substrat (Body) gegenüber der Source mit einer negativen Spannung beaufschlagt wird (Substratvorspannung)?
  5. Welche Aussage zu den Merkmalen eines MOSFETs vom Verarmungstyp ist richtig?

Vergleiche zu diesem Thema