Bipolartransistor

Wie groß ist ungefähr die Steilheit gm eines Bipolartransistors, der bei einem Kollektorstrom von 1 mA betrieben wird? (Raumtemperatur, Temperaturspannung VT ≈ 26 mV)

  1. AEtwa 0,38 mS
  2. BEtwa 38 mS
  3. CEtwa 3,8 S
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Antwort: B. Etwa 38 mS

Die Steilheit eines Bipolartransistors beträgt gm = IC/VT, also 1 mA ÷ 26 mV ≈ 38 mS. Sie wird allein vom Strom bestimmt und hängt nicht von der Größe des Transistors oder von Fertigungsstreuungen ab. Bei MOSFETs ist gm = 2ID/(VGS − Vth), wobei VGS − Vth meist 0,1 V oder mehr beträgt; bei gleichem Strom ist die Steilheit des Bipolartransistors daher 2- bis 4-mal so groß. Diese große Steilheit ist einer der Gründe, warum Bipolartransistoren in rauscharmen Analogschaltungen mit hoher Verstärkung verwendet werden.

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