PN接面與二極體
在兩側皆為非常高濃度的PN接面中,提高順向電壓時會出現電流減少的負電阻區域,這種二極體是下列何者?
- A蕭特基位障二極體
- BPIN二極體
- C穿隧二極體(江崎二極體)
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正確答案:C. 穿隧二極體(江崎二極體)
穿隧二極體是兩側摻雜到簡併程度的高濃度PN接面,由於空乏區非常薄,在順向的低電壓下即有穿隧電流流動。提高電壓時,n側的電子與p側空缺能階的能量錯開,穿隧電流減少,於是出現負電阻區域。1957年由江崎玲於奈發現,並於1973年獲得諾貝爾物理學獎。這是電子元件中首次展現穿隧效應的例子。