下列關於最先進之EUV曝光設備的說明，何者適當？

正確答案：B. 能夠供應的企業極為有限，是先進半導體製造的關鍵

EUV曝光設備結合了以雷射照射錫液滴所產生的電漿光源、反射率約70%的多層膜反射鏡、高真空技術等，是集大成的設備，量產用設備事實上僅由荷蘭的ASML一家公司供應。單台價格高達數百億日圓，非常昂貴，是先進邏輯與記憶體製造不可或缺的設備。其零組件也是集結自世界各地的專業企業，同時也是出口管制的對象。