Halfgeleiderlaser die licht loodrecht op het substraat uitzendt. Kan op de wafer worden getest en gemakkelijk tweedimensionaal worden gerangschikt; wordt gebruikt als lichtbron voor onder meer datacommunicatie en gezichtsherkenning.
Japanse benaming: VCSEL(垂直共振器面発光レーザー)
“VCSEL (vertical-cavity surface-emitting laser)” komt voor in 3 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Verbindingshalfgeleiders.
Vakgebied: Verbindingshalfgeleiders
Antwoord: C. Hij zendt licht uit loodrecht op het substraat, is eenvoudig op waferniveau te testen en kan eenvoudig tweedimensionaal worden gerangschikt
Een VCSEL heeft een korte resonator die boven en onder wordt ingesloten door meerlaagse spiegels (DBR) van tientallen lagen, en zendt een rond laserbundel uit loodrecht op het waferoppervlak. Voordelen zijn dat de wafer zonder splijten kan worden getest, dat duizenden elementen tweedimensionaal kunnen worden gerangschikt en dat de koppeling met glasvezel eenvoudig is. De VCSEL werd in 1977 voorgesteld door Kenichi Iga van het Tokyo Institute of Technology en wordt gebruikt in gezichtsherkenning van smartphones, muizen en optische communicatie in datacenters.
Een VCSEL heeft een korte resonator die boven en onder wordt ingesloten door meerlaagse spiegels (DBR) van tientallen lagen, en zendt een rond laserbundel uit loodrecht op het waferoppervlak.
Welke uitspraak over de VCSEL (vertical-cavity surface-emit…Daarom wordt GaAs gebruikt voor infrarood-LED's en halfgeleiderlasers (optische schijven, communicatie, VCSEL's voor gezichtsherkenning).
Welke bandstructuur heeft galliumarsenide (GaAs)?LED's op basis van GaAs worden gebruikt in afstandsbedieningen en fotosensoren, en GaAs/AlGaAs-VCSEL's rond 850 nm in gezichtsherkenning van smartphones en optische communicatie over korte afstand.
Wat is de golflengte van het licht dat GaAs met een bandgap…GaAs (galliumarsenide) Directe bandovergang (direct bandgap) Indirecte bandovergang (indirect bandgap) Bandgap (bandkloof) Efficiency droop Ga2O3 (galliumoxide) GaN (galliumnitride) Halfgeleider met brede bandgap (wide-bandgap) HEMT (high electron mobility transistor) III-V-verbindingshalfgeleider