Halfgeleiderfysica

Welke recombinatie, die zich vooral voordoet bij hoge ladingdragerconcentraties, is het proces waarbij de bij recombinatie vrijkomende energie niet als licht maar aan een andere ladingdrager wordt afgegeven?

  1. AStralingsrecombinatie
  2. BAuger-recombinatie
  3. COppervlakterecombinatie
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Auger-recombinatie

Bij Auger-recombinatie wordt de bij de recombinatie vrijkomende energie overgedragen aan een derde ladingdrager en uiteindelijk omgezet in warmte. Omdat drie ladingdragers betrokken zijn, is de recombinatiesnelheid ongeveer evenredig met de derde macht van de ladingdragerconcentratie en wordt ze bij hogere concentraties sterk. Daarom beperkt ze de efficiëntie van hooggedoteerde emitters en zonnecellen en wordt ze beschouwd als een van de oorzaken van “droop”, de efficiëntiedaling van LED’s bij grote stroom. Ze verschilt van stralingsrecombinatie, waarbij licht wordt uitgezonden.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Halfgeleiderfysica

  1. Wat is bij benadering de resistiviteit van n-type silicium met een elektronendichtheid van 1×10¹⁶ cm⁻³ en een elektronenmobiliteit van 1000 cm²/V·s? (de bijdrage van gaten wordt verwaarloosd, elementaire lading 1,6×10⁻¹⁹ C)
  2. Hoe heet het energieverschil tussen het vacuümniveau en de onderkant van de geleidingsband van een halfgeleider?
  3. Wat is de belangrijkste reden dat de mobiliteit in silicium met lage onzuiverheidsconcentratie daalt bij stijgende temperatuur?
  4. Welke waarde ligt het dichtst bij de intrinsieke ladingdragerdichtheid van silicium bij kamertemperatuur?
  5. Welke waarde ligt het dichtst bij de atoomdichtheid van een siliciumkristal?