Nederlands
Menu

Halfgeleiderfysica

Wat is de juiste eenheid van de mobiliteit van ladingdragers?

  1. Acm²/(V·s)
  2. BΩ·cm
  3. Ccm/s
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. cm²/(V·s)

Mobiliteit is de driftsnelheid per 1 V/cm elektrisch veld, met als eenheid (cm/s) ÷ (V/cm) = cm²/(V·s). In SI-eenheden is dit m²/(V·s), maar in het halfgeleidervak is het cm-stelsel gebruikelijk, met 1 m²/(V·s) = 10⁴ cm²/(V·s). Richtwaarden zijn ca. 1400 voor elektronen en ca. 450 voor gaten in silicium en ca. 8500 cm²/(V·s) voor elektronen in GaAs, wat direct van belang is bij de materiaalkeuze voor hoogfrequente transistors.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Halfgeleiderfysica

  1. Welke formule geeft de geleidbaarheid σ van een halfgeleider bij elektronendichtheid n, gatendichtheid p, elektronenmobiliteit μn, gatenmobiliteit μp en elementaire lading q?
  2. Hoe heet het proces waarbij elektronen en gaten recombineren via diepe niveaus (traps) in de verboden zone?
  3. Welke formule geeft de diffusielengte L bij een diffusiecoëfficiënt D en een levensduur τ van minderheidsladingdragers?
  4. Wat gebeurt er met de bandkloof van silicium wanneer de temperatuur stijgt?
  5. Wat gebeurt er met de driftsnelheid wanneer een sterk elektrisch veld op elektronen in silicium wordt aangelegd?