Comment appelle-t-on, dans une mémoire à changement de phase (PCM), le phénomène par lequel la résistance de l'état amorphe augmente progressivement avec le temps ?

Réponse : B. Dérive de résistance

La phase amorphe de la PCM relaxe légèrement sa configuration atomique au cours du temps, et sa résistance augmente progressivement à peu près proportionnellement au logarithme du temps (R ∝ t^ν, ν de l'ordre de 0,1) : c'est la dérive de résistance. Elle pose peu de problème en fonctionnement binaire, mais en multiniveau avec des résistances intermédiaires, les niveaux voisins deviennent difficiles à distinguer. Les contre-mesures consistent à lire simultanément des cellules de référence ou à choisir des matériaux à faible dérive.