Neue Speichertechnologien

Welche Aussage zu FeFET mit einem Ferroelektrikum als Gate-Isolator ist richtig?

  1. ADie Polarisationsrichtung ändert die Schwellenspannung, sodass mit einem einzigen Transistor nichtflüchtig gespeichert und zerstörungsfrei gelesen werden kann
  2. BDie Daten gehen beim Abschalten der Versorgung verloren
  3. CEr speichert über die Ladung eines Kondensators
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Antwort: A. Die Polarisationsrichtung ändert die Schwellenspannung, sodass mit einem einzigen Transistor nichtflüchtig gespeichert und zerstörungsfrei gelesen werden kann

Beim FeFET ändert die Polarisationsrichtung des ferroelektrischen Gate-Isolators die im Kanal induzierte Ladung und verschiebt die Schwellenspannung. Gespeichert wird mit einem einzigen Transistor (1T), und da danach gelesen wird, ob Strom fließt, ist zerstörungsfreies Lesen ohne Polarisationsumkehr möglich. Geschrieben wird allein mit der Gate-Spannung, und die Leistungsaufnahme ist gering. Seit der Entdeckung HfO2-basierter Ferroelektrika findet er erneut Beachtung; die Verbesserung der Zyklenfestigkeit ist eine Herausforderung.

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